|
纳米半导体器件建模仿真及应用
项目团队基于第一性原理和NEGF,自主开发了量子输运求解器,用于纳米尺度超薄硅/锗、纳米线和纳米片硅/锗场效应管能带、弹道速度、量子隧穿效应以及声子散射效应仿真,已发表IEEE Trans. Electron Devices等论文4篇。
项目团队自主开发了薛定谔-泊松方程自洽求解器更准确地描述纳米片GAAFET载流子输运中的量子效应,揭示了材料、晶向、杂质浓度、界面粗糙度、沟道宽度和外场对空穴迁移率的影响机理,已在IEEE Trans. Electron Devices发表论文1篇。
项目团队自主开发了存储器的多物理场耦合过程建模仿真工具,完成了多种材料存储器的自热效应仿真研究,已发表IEEE Trans. Electron Devices等SCI期刊论文3篇。
项目团队与加州大学圣芭芭拉分校Kaustav Banerjee(IEEE/AAAS/APS Fellow)教授合作对二维材料自旋场效应管的自旋输运进行了建模仿真研究,成果发表在Adv. Mater.期刊上。